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隨著美中對抗下美國出口管制日趨嚴厲，中國DRAM大廠長鑫存儲(CXMT)正努力設法生產首款國產高頻寬記憶體(HBM)，這是人工智慧運算的關鍵零組件，《日經新聞》引述直接了解狀況的消息人士指稱，長鑫存儲已從美國和日本的供應商訂購，並且收到了一些適合組裝和生產HBM的製造和測試設備，報導指出，這些設備並不受出口管制。
《日經新聞》報導，一名晶片業高層主管透露，長鑫存儲正急於獲取可以用於這類高頻寬記憶體(HBM)生產的關鍵設備，儘管他們的HBM技術尚未達到可以進行大規模生產，正因為這些設備目前不受出口管制。
長鑫存儲是中國最大動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片製造商，消息人士透露，自去年開始，長鑫便優先開發並複製HBM晶片架構，因這類HBM晶片具有加速人工智慧運算和應用的能力。
美企陸續取得華府出口許可
儘管自2022年10月實施全面出口管制，遏止北京獲取先進晶片，這包括製造先進DRAM在內，但報導援引兩名消息人士說法指出，自2023年中以來，包括美國應用材料公司(Applied Materials，應材)和科林研發(Lam Research)等一些領先的美國設備供應商便已經獲得華府許可，可以向這家中國記憶體晶片製造商出口晶片生產設備。
長鑫存儲成立於2006年，去年底宣布已開始量產國內首款LPDDR5記憶體晶片，這是目前業界主流的行動DRAM，適用於高階智慧型手機。這項進步使長鑫存儲在技術方面僅次於美國頂級記憶體晶片製造商美光和南韓的SK海力士，甚至領先台灣南亞科技，後者更專注於專業市場而不是大眾消費電子業務。但到2023年，長鑫存儲在全球DRAM市場市佔率還不到1%，而三星、SK海力士和美光這三大巨頭則仍控制著超過97%的市場。
Counterpoint半導體分析師Brady Wang認為，中國希望在HBM可以自給自足，但仍面臨許多挑戰。他說：「當DRAM技術落後全球對手，HBM技術在商業化市場競爭也將居於劣勢，更不用說HBM的生產需要複雜的設計和製造技術。不過中國的目標可能是盼滿足國內需求。」
