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產創條例10之2、俗稱「台版晶片法案」今天(7日)正式上路，台積電表示，樂觀其成，並強調將繼續深根台灣、持續投資研發堅持創新，與半導體生態圈合作釋放創新。
經濟部指出，產創條例第10條之2提供優惠抵減率，包含前瞻創新研發支出當年度抵減率25%，及購置先進製程設備支出當年度抵減率5%。適用門檻為研發費用新台幣60億元、研發密度達6%、購置用於先進製程的設備支出達100億元，且2023年有效稅率為12%。
台積電表示，對於有助於半導體產業生態系統發展與茁壯的措施，樂觀其成。台積電長期以來專注提高研發強度並致力於技術發展，力求在製程技術上大幅推進效能和功率優化，並提供業界最先進的電晶體技術。
台積電為連結全球推動新世代半導體技術創新，打造嶄新研發基地於日前啟用。台積電強調，未來將繼續深根台灣、持續投資研發堅持創新，與半導體生態圈合作釋放創新。
