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工業技術研究院今天(17日)宣布，與台積電合作開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(SOT-MRAM)陣列晶片，搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，功耗僅為自旋轉移力矩磁性記憶體(STT-MRAM)的1%。
工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，工研院與台積電開發的SOT-MRAM單元，兼具低功耗及10奈秒高速工作等優點，結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫MRAM過去以記憶體為主的應用情境。
張世杰說，工研院與台積電合作成果於國際電子元件會議(IEDM)發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量，未來這技術可應用於高效能運算、AI人工智慧及車用晶片等。
工研院致力推動國內半導體市場開啟新興應用，在「智慧化致能技術」應用領域，研究發展非揮發性記憶體創新技術，協助國內產業界發展高價值的技術與產品。
