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美國司法部起訴聯電違反營業秘密保護法案，聯電與司法部達成和解，並經法院判決確定。聯電董事長洪嘉聰今天(29日)發出聲明表示，很欣慰與美國政府達成協議。
美國司法部於2018年11月起訴聯電違反聯邦營業秘密保護法案件，聯電已與司法部達成和解，和解協議內容經北加州聯邦地方法院判決確定。
聯電指出，在和解協議中，司法部同意撤銷對聯電原來的指控，包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光(Micron)營業秘密、和專利有關的指控、以及可能從4億到87.5億美元的損害賠償及罰金等。
聯電承認侵害一項營業秘密，同意支付美國政府6000萬美元的罰金，並在3年自主管理的緩刑期間內與司法部合作。聯電表示，2016年5月公司獲經濟部投審會核准，與福建晉華簽署合作協議。依據該協議，聯電與晉華共同開發兩代動態隨機存取記憶體(DRAM)製程。協議中所開發的DRAM製程並非最新技術，而是與2012年已用於量產技術相似的舊技術。為了與晉華的DRAM合作案，聯電公開招募工程師，不允許任何員工攜帶前公司資訊到聯電，且針對自身與他人營業秘密已有多項保護與防免之政策與措施。
聯電指出，兩位參與DRAM合作案的台灣美光前員工，卻違反簽訂的僱傭合約與聲明書，攜帶前公司資訊進入聯電並於工作中參考。當聯電知悉上訴情事時，立即採取必要措施，以確認開發的製程技術不含任何未經授權的資訊。
聯電指出，合作協議中提及的第一代DRAM製程技術在2018年9月依協議移轉給晉華。聯電從無意圖、也未移轉任何未經授權的資訊給晉華。
但聯電表示，依據美國營業秘密保護法，即使員工在公司高層不知情的情況下違反公司政策，公司對於員工行為仍須負法律責任。因此，聯電在和解協議中承認並接受因員工觸法所造成的責任。
洪嘉聰說，數年前，聯電獲得政府事前核准，以自身專業知識及研發資源，參與DRAM合作開發案。當聯電高層發現員工的不當行為時，立即採取措施，包含展開內部調查，並防止任何未經授權的資訊遭使用或外流。未來聯電將繼續落實並加強有關營業秘密的保護與防免的政策與措施。
洪嘉聰說，很欣慰與美國政府達成協議，未來公司將持續在各領域提供具有競爭力的產品及服務。
