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聯電與英特爾(Intel)25日共同宣布，雙方將合作在英特爾美國亞利桑那州廠開發和製造12奈米製程平台，因應行動、通訊基礎建設和網路等市場快速成長需求，合作開發的12奈米製程預計在2027年投入生產。
聯電表示，與英特爾這項長期合作，是結合英特爾位於美國的大規模製造產能，和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗，以擴充製程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好的採購決策。
英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務(IFS)總經理潘(Stuart Pann)說，英特爾與聯電策略合作，展現為全球半導體供應鏈提供技術和製造創新的承諾，也是實現英特爾在2030年成為全球第2大晶圓代工廠的重要一步。
聯電共同總經理王石表示，聯電與英特爾在美國合作製造12奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程，是追求具成本效益的產能擴張，和技術升級策略的重要一環。
王石說，這項合作將協助客戶順利升級到12奈米製程技術，同時受惠擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾策略合作，利用雙方互補優勢，擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。
聯電與英特爾合作開發的12奈米製程，將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備，大幅降低前期投資，並最佳化利用率。
