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國科會今天(21日)指出，國立台灣師範大學物理系聯合研究團隊成功開發出創新鐵電電晶體，不但突破目前3奈米技術節點，只有 1.3奈米厚度，功耗也更低，有望成為未來半導體核心技術。研究成果已於2023年11月底正式發表於國際知名學術期刊《自然電子》(Nature Electronics)上。
隨著AI、量子電腦等新興科技發展，半導體將追求尺寸更小、速度更快的技術。在國科會支持下，師範大學在鐵電材料領域取得了重大突破，開發出基於二維材料二硫化鉬的創新鐵電電晶體，不但解決了傳統鐵電電晶體一縮小尺寸就會不穩定的問題，且一個電晶體就具有記憶體及計算功能，還展現出低讀寫電壓、快速讀寫和高穩定性，功耗也大幅降低。國立台灣師範大學物理學系教授藍彥文說：『(原音)一般而言是需要一個記憶體跟一個電晶體，兩個結合在一起做串連，才可以做計算；我們的研究是發現一顆電晶體同時具有記憶體跟計算的功能，因此可以大幅降低功耗還有運算的速度。』
藍彥文也透露，此技術的製程步驟採用了目前在工業界廣泛應用的技術，所以有高度相容性；相關技術細節也已經在文章中呈現，內容都是公開的，所以未來是否有廠商會拿來應用，「就要看廠商是否有遠見了」。
國科會也指出，此超薄鐵電電晶體因厚度僅2層二維材料原子，具低於3奈米技術節點中的關鍵技術潛力，將為先進的半導體製程提供了理想的解決方案選項。
